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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
36
Velocità di lettura, GB/s
10.6
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2091
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
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