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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2665
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
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