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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3208
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
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