RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
30
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
22
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3201
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link