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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17500
8500
Intorno 2.06 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
52
Velocità di lettura, GB/s
10.6
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17500
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2319
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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