RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
31
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
31
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3084
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link