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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
34
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
34
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3448
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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