RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
34
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
34
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3448
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link