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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
8500
Intorno 2.75 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
23400
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3419
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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