RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno 35% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
46
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2660
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link