RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
30
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
19
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3435
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link