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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
42
Velocità di lettura, GB/s
10.6
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2551
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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