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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3076
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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