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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
30
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
23
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
18.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
4095
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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