RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
32
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3372
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link