RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
30
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
22
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2708
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kllisre 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link