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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
41
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
37
Velocità di lettura, GB/s
11.1
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
2461
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
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