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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
43
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
33
Velocità di lettura, GB/s
11.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3136
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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