RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
43
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
33
Velocità di lettura, GB/s
11.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3136
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link