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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
43
Intorno -105% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
21
Velocità di lettura, GB/s
11.0
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3332
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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