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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
11.0
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3412
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
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