Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 45
    Intorno 4% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    19.7 left arrow 11
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 10600
    Intorno 2.42 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 45
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.0 left arrow 19.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 15.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1393 left arrow 3240
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti