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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
43
Intorno -126% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
19
Velocità di lettura, GB/s
11.0
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3066
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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