RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
43
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
34
Velocità di lettura, GB/s
11.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
2516
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link