RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
46
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.6
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
46
Velocità di lettura, GB/s
11.0
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
2571
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link