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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
14.2
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
1832
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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