Confronto tra le RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Punteggio complessivo

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 66

Intorno 53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 13.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 13.2

Valore medio nei test

Motivi da considerare
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3649 2429

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns