RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Confronto
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
63
81
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
81
Velocità di lettura, GB/s
10.0
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2162
1651
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link