RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
37
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
10.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
21
Velocità di lettura, GB/s
14.7
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
3380
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link