RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
50
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
50
Velocità di lettura, GB/s
14.7
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
2326
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link