Confronto tra le RAM SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 37

Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.4 10.6

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2438 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns