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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
37
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
10.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
34
Velocità di lettura, GB/s
14.7
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
2201
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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