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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
10.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
27
Velocità di lettura, GB/s
14.7
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
3528
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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