RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
37
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
17000
Intorno 1.38 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
31
Velocità di lettura, GB/s
14.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
23400
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
3360
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link