RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Confronto
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
34
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
11.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
29
Velocità di lettura, GB/s
15.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.6
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2786
3508
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Segnala un bug
×
Bug description
Source link