RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
60
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
60
Velocità di lettura, GB/s
15.4
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.6
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2786
2359
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link