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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
36
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
36
Velocità di lettura, GB/s
17.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.9
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3100
2569
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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