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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Confronto
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
10.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
26
Velocità di lettura, GB/s
15.0
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2657
2880
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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