RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Confronto
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
23400
Intorno 1.09 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
39
Velocità di lettura, GB/s
14.7
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
23400
25600
Other
Descrizione
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2935
2771
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link