RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Confronto
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,042.4
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
61
Intorno -177% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
22
Velocità di lettura, GB/s
4,448.3
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,042.4
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
860
3254
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link