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SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Confronto
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
43
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
43
Velocità di lettura, GB/s
11.9
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1378
1393
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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