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SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Confronto
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
73
Intorno -170% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
73
27
Velocità di lettura, GB/s
5.0
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1398
2251
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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