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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Confronto
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Motivi da considerare
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
48
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
7.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
29
Velocità di lettura, GB/s
10.1
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1955
3781
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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