SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7BFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7BFR4C-H9 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7BFR4C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7BFR4C-H9 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 48
    Intorno -71% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.7 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 7.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    48 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.1 left arrow 10.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.0 left arrow 9.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1955 left arrow 2259
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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