RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Confronto
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
48
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
24
Velocità di lettura, GB/s
10.1
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1955
2168
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link