RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Confronto
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
53
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.3
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
7.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
53
Velocità di lettura, GB/s
10.1
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1955
2356
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link