RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Confronto
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2400U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
AMD R744G2400U1S 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
51
Intorno -132% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
22
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2182
2862
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link