RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Confronto
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
51
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
28
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2182
3525
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link