RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Confronto
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
51
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
32
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2182
2612
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link