RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Confronto
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
60
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
60
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2182
2511
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link