RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
51
Intorno -132% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
22
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2182
2989
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link