RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
41
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
31
Velocità di lettura, GB/s
11.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
3614
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link